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分立器件高溫反向偏壓測試系統(tǒng)

在科技日新月異的當下，集成電路的市場化進程不斷加速，各種元器件已經(jīng)滲透到我們生活的各個領(lǐng)域。無論是航空航天、智能汽車等大型領(lǐng)域，還是手機、電腦、手表、電視等日常消費品，都離不開元器件的應(yīng)用。這些元器件與我們的生活密切相關(guān)。

然而，元器件也可能帶來一些風險。市場上不時發(fā)生的手機炸機事件、汽車故障、電路板著火等問題，大多與器件質(zhì)量有關(guān)。因此，篩選出品質(zhì)高、可靠性高的器件成為各大廠家的首要任務(wù)。

高溫反向偏壓試驗（High Temperature Reverse Bias，簡稱HTRB）是分立器件可靠性測試中重要的項目之一。該試驗在高溫條件下，對被測樣品連續(xù)施加一定規(guī)格的反向電壓，并要求其反向漏電流能夠穩(wěn)定在規(guī)定范圍內(nèi)。通過模擬器件在長期運行條件下的耐受能力，可以推斷器件在實際使用中的壽命和應(yīng)力大小。

在器件量產(chǎn)或使用前，按照實際應(yīng)用場景進行模擬實驗，可以提前了解器件的應(yīng)力情況，從而避免因應(yīng)力或環(huán)境因素導(dǎo)致的失效和影響。

高溫反向偏壓試驗的實驗?zāi)康脑谟诒┞杜c時間和應(yīng)力相關(guān)的器件缺陷，測量器件是否符合規(guī)定標準要求，并檢查封裝或晶圓自身是否存在質(zhì)量問題。

該試驗可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、JESD 22-A108、JEDEC、JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關(guān)標準要求。

高溫反向偏壓試驗適用于多種半導(dǎo)體分立器件，包括二極管、三極管、MOSFET管（增強型、耗盡型）、達林頓管、可控硅和IGBT等，并適用于多種封裝類型。